# 氮化镓HEMT
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电力电子行业交流新型开关器件资料共享资料,氮化镓器件
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新型宽禁带半导体氮化镓器件的应用电路设计和驱动设计,供大家参考学习
氮化镓在射频通信中应用
氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(SiLDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术
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新型宽禁带半导体资料驱动电路设计和硬件开发应用介绍
氮化镓器件的测试电路LTspice
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氮化镓单晶生长研究进展
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氮化镓单晶的液相生长
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氮化镓干法刻蚀研究进展
摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AI