# MOS模型分析
mos驱动电路分析
MOS管的驱动电路多种多样,这里举例两个常见的驱动电路,并加以说明分析。
MOS管发热分析
上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保
MOS管原理MOS管的小信号模型及其参数
MOS管是只有一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Ju
mos晶体管模型建模
YannisTsividis，第3版，mos晶体管建模
语音MOS影响因素分析
1、指出ESRVCC等编码速率降低对MOS分的影响程度 2、完成了丢包率、抖动对MOS分的影响分析 3、确认在高清语音下，低丢包
VoLTE MOS专题分析报告
VoLTEMOS专题分析：MOS值的影响因素为：测试操作、MOS评估算法、终端/音频线、语料选取、协商编码、RTP丢包、时延/抖
MOS开关电路的分析
MOS开关电路 PMOS用于高边开关,电源输入->PMOS->负载->电源地 NMOS用于低边开关,电源输入-
小电流mos管发热分析
小电流mos管发热分析 mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源
MOS管器件击穿机理分析
讨论了管击穿的分类, 以及击穿时场强分布情况, 在此基拙上, 列举和分析了 管击穿的发生区域, 主要是结击穿和漏区击穿文章对雪崩
HSPICE的MOS管模型中文文档
文档包含了MOS管的模型的参数、以及遵从的数学公式。除此之外,不仅有针对MOS管的模型还有针对一些其他器件的模型,比如LTPS