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本资源介绍了SET和TFET的基本原理,并说明了它们与MOS相比的优点。

石墨烯的能带结构及独特的电学电学性能;石墨烯FET的优势和缺点;提高石墨烯晶体管开关比低的方法(如何解决石墨烯FET存在的问题);石墨烯的制备方法及其各自的优缺点;MEMS加速度计、陀螺仪、喷墨打印机的打印头、数字微镜器件的原理;MEMS器件;使用电子耗尽层理论解释半导体金属氧化物气体传感器的原理;

介绍了石墨烯作为电子器件材料的优势和缺点;以及石墨烯的四种常见制备方法及其各自的优缺点;还有提高石墨烯晶体管开关比低的方法

本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题,包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heatdeath”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念、“HKMG”、窄沟道效应、热载流子(HCE)效应、源漏穿通及次开启抑制措施、迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的