元件规格书上的参数符号含义 场效应管 二极管 三极管参数符号意义 VGSR---反向栅源电压(直流) IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) ..............
彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet规格书 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别,尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外,数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。因此在使用
瞬态电压抑制二极管应用指南 瞬态(瞬变)电压抑制二级管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间仅为1ps(10-12S)。
使用电桥测量电感L电容C时容易陷入的误区 通常在并联模式(LP、CP)时是采用恒压方式测量,而在串联模式(LS、CS)是采用恒流方式测量。(因涉及电路设计,实无法一一详谈。)故一般针对小电容、大电感采用的是并联模式;大电容、小电感则采用串联模式测量,而其间的差异与D值有关,转换公式如下所示
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构.其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下.从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级.前者反向恢复时间为数百纳秒或