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五年时光匆匆而过,时至我们使用的是被称为“里程碑”(Milestone)的发布模式,并已经开始以此为基础努力打造第二个GA版本。 新旧两套开发模式间的不同之处 现在我们来聊聊新旧两种开发模式之间的几项主要差异。 我认为目前我们所使用的开发模式,其重要的特性是整个开发流程以2到4个月为周期

产品型号:M41T81M6SRAM (bit):160结构:×8接口:I2C工作电压 (V):2.0~5.5低压 检测:-看门狗:√报警:√频率输出:√电池切换电路:√封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:精确到1/100秒,时钟软件校准价格/1片(套):¥9.99

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产品型号:MC33077DG工作电压Min.(V):±2.5工作电压Max.(V):±18带宽GBW(典型值)(MHz):37转换速率(典型值)(V/us):11输入失调电压(25°C,Max.)(mV):1输入偏置电流(Max.)(nA):280最大工作电流ID(mA):3.500共模抑制比(Mi

产品型号:LP2950CDT-5.0RK输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.100极性:正压差典型值(V):0.35@0.1A输入电压最大值(V):30封装/温度(°C):DPAK/-40~125描述:100mA低压差稳压器价格/1片(套):¥4.30

Atmel今天宣布推出多智能卡读卡器接口设备 AT83C26。 AT83C26 是业内首个多模拟智能卡接口,可处理多达五张智能卡。该设备通过适当的电源电压为智能卡提供动力,能实现主控器与智能卡之间的数据传输。系统设计人员可利用单一芯片开发出需要处理多张卡的读卡器,从而缩减系统尺寸和成本。AT83C2

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为DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片 飞兆半导体 计算和超便携式应用企业策略总监RENO ROSSETTI 引言 DDR-SDRAM,即双数据速率同步DRAM,简称DDR。DDR因其更为卓越的性能 (起初的数据速率为266MBps,后来提升至400MBps,而一般SDRAM只有133MBps