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本电路通过MULTISIM仿真mos开关电路，仿真通过NMOS做低测开关，PMOS做高测开关，仿真软件版本是multisim14.0

按照图示器件设计可在Multisim中进行双向可控硅仿真测试。 有人说在Multisim中双向可控硅仿真不出效果，原因是在选择器件时没要注意到在 只是一个简单的操作步骤，multisim中选取合适的可控硅，可能是大家选的型号不对。在选择器件时不要选择废弃器件就可以了