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摘要:半导体器件制备过程中,SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭 受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除 过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。