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研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐 照下剂量为1× 1015cm- 2时,与辐照前相比最大功率衰降