circulate_75994

碳化硅（SiC）MOS管是一种在电力行业中广泛应用的关键技术。它具有比传统硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量等优势。在工业、能源和汽车等领域，碳化硅MOS管的应用不断地改变着电力系统的性能和效率。另外，碳化硅MOS管的优点还包括更小的尺寸、更

国产首款1700V SiC MOSFET碳化硅功率器件，具有750毫欧的内阻和20毫欧的导通电阻Rds（on），适用于高压电源应用。该器件在工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器和UPS等三相功率变换系统的辅助电源设计中，能够提高效率、简化电路设计，降低散热成本，同时满足工业领域对耐压和雪崩等级

SiC模块ASC800N1200DCS12丹弗斯DCM1200V800A是一种高效功率模块，优点在于采用单面水冷模封工艺，最高工作结温175℃，功率密度高适用高温高频应用超低损耗，集成NTC温度传感器易于系统集成，能够高温高湿偏置操作并具有超低损耗。同时，MOSFET的零关断尾电流正常关闭故障安全设

碳化硅MOS管SiCMOS PFC功率器件主开关管的选择..如传统的PFC拓扑普通无桥PFC双升压无桥PFC图腾柱无桥PFC等并已成功大范围应用在设计过程中.碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗.碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为但是其反向恢复电流相