大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现 存储空间是按照块和页的概念来组织的,一个芯片分为1 024个块,每个块有32页,每一页有528 B。528 B中分为512 B的数据区和16个字节的空闲区,空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元,用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传输。芯片
NAND flash组成结构及驱动解读 NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell,一般来说,一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位,连成bitline,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page,(NANDFlash
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Arm指令介绍很详细 寄存器和处理器模式(26-bit 体系) 寄存器和处理器模式(32-bit 体系) 程序状态寄存器和操纵它的指令 寄存器装载和存储指令 算术和逻辑指令 移位操作 乘法指令 比较指令 分支指令 条件执行 软件中断指令 APCS (ARM 过程调用标准) 编写安全的 32-bit 代码的基本规则 IEE