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1. 提出与产生 1971年，柏克莱加州大学蔡少棠预测了忆阻器的存在 电阻： （1） 电感： （2） 电容： （3） 当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。 从而可以推断出还存在一种联系磁通量和电荷的元器件，命名为忆阻器，英文名称为memristor,即为memory resistor