无线诊断-C02N6HABG3QH-20141215215321

产品型号:NTD30N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-5

产品型号:NTB90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~15

产品型号:NTP90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7.5@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-22

产品型号:NTD80N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):80通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150

正规英文版，因为一些中文版的翻译不准确啊。请多多包涵咯

三星原版S3C2416Circuit_Design_CheckList，独家披露！只要遵循了这个，S3C2416核心板设计一版成功！

原版WayOS_H-2.02.324.iso光盘版WayOS_H-2.01.583无限制.isoWayOS-699无限制(ISO光盘版).WayOS_H-2.03.9999无限制版.isoWa

EP4CE6E22C8N CORE,里面有PCB和原理图

UVA 100题答案

使用卷积场理论积,此处显示了阿贝尔D = 6,N =(2,0)理论的“平方”产生了由赫尔构造的自由D = 6,N =(4,0)理论 ,以及其广义(超)规范的转换。 这为一般的共形引力的(4,0)理论和