入侵探测器通用技术条件

LAN probe detects users in the network

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在短波红外成像光谱技术的应用背景下, 对HgCdTe短波红外焦平面探测器的校正技术进行研究, 包括坏像元校正和非均匀性校正, 并提出先进行坏像元校正后进行非均匀性校正的探测器校正原则; 在标准辐射源下

尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在GaSb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂P型,较高的温度用来生长N型,′

MSM是一种平面结构,结构简单,易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上,接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构,相互错开的电极各自

虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在

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如今的中国已经在多个高科技领域取得了国际领先地位,例如高铁、绞吸式挖泥船、断肢再植技术、量子通信技术和高超声速复现风洞技术等。量子通信领域里的关键支撑技术之一——超导纳米线单光子探测器技术(SNSPD

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