5000种场效应管速查

Simple detection of (analog circuit) FET

TMOS场效应管功放集成块

场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

“世界场效应管查询系统” 是我公司针对广大电子爱好者（专业版）和从事电子产品制造的企业（企业版）又一款功能强大的查询软件，此软件最大限度的搜集了世界各国晶体管生产厂家的产品，其中囊括了200多个生产厂

介绍晶体管原理，以及指标，以及具体的应用电路

测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效

场效应管测量方法 电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电

场效应管发热的原因 1、电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MO

场效应管基础知识-工作原理,结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。 图 1 N沟道结型场效应管工作时，也需要外加如图

本文图文结合的讲了关于场效应管的相关知识,下面一起来学习一下