推荐下载
-
10位高速逐次逼近型模数转换器(ADC)的0.18微米工艺描述
这款ADC采用了0.18微米工艺制造,具有9.6位的有效位数(ENOB)和63.7分贝的信号到噪声加性失真比(SFDR)。它是基于virtuoso设计工具开发的,可直接用于性能仿真。
3 2024-04-22 -
用于无线传感器网络的11mW2.4GHz0.18μmCMOS收发器
用于无线传感器网络的11 mW 2.4 GHz 0.18μmCMOS收发器
12 2021-04-18 -
TSMC18台积电工艺库带安装教程与CDB转OA的转库说明
TSMC18台积电工艺库带安装教程与CDB转OA的转库说明,源文件为CDB格式工艺库,可直接安装5141版本,610及以上版本需要转OA使用,本人亲测可用。内带教程和使用说明
52 2020-11-25 -
3.3V0.18μm恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计
基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种3.3 V低压轨对轨(Rail-to-Rail)运算放大器。该运算放大器的输入级采用3倍电流镜控制的互补差分对结构,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;
6 2020-10-28 -
适用于中国超宽带标准的0.18um CMOS单边带混频器设计
UWB ( Ultra Wide Band)在短距下可以低功率进行高速数据传输, 被认为是有发展前景的无线电技术之一。此外, UWB 作为基础通信技术, 在目前兴起的物联网应用中, 亦将发挥巨大的作用
6 2021-03-31 -
单片机与DSP中的Predictions发力DUF工艺校准良品率模型获TSMC导入
Predictions Software Ltd.公司日前宣布,其DFM一体化支持(DUF)工艺即校准良品率模型将被台湾半导体制造公司TSMC导入。 定义每片晶片总模子数Gross Die Per W
2 2020-12-12 -
通信与网络中的超高速0.18μm CMOS复接器集成电路设计
0 引 言 光纤通信具有高速、大容量、长距离、低损耗、强抗干扰能力等特点,适合多种综合数据业务,是未来宽带网络的发展方向。我国的信息化建设正处于大发展时期,对光纤、光缆、高速光电器件及光传输设备的
5 2020-12-30 -
元器件应用中的基于0.18μmH栅P Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要:绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD
8 2020-10-28 -
论文研究基于0.18um工艺的Ku K波段CMOS功率放大器.pdf
基于0.18um工艺的Ku/K波段CMOS功率放大器,赵怡,刘智卿,设计了一种基于0.18umCMOS工艺的Ku/K波段功率放大器的设计。电路采用两级共源共栅放大器级联放大,通过优化驱动放大电路与功率
12 2020-05-06 -
嵌入式系统ARM技术中的0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像一
1.AMD Saxony制造股份有限公司,德累斯顿市D-01109,德国;2.AMD工艺研发集团,美国加利福尼亚州森尼韦尔市;3.KLA-Tencor,Migdal HaEmek 23100,以色列)
6 2020-12-13
用户评论