米勒效应场效应管驱动

BF998高频场效应管仿真，高频电路软件仿真用

常用功率场效应管参数大全在嵌入式开发过程中的速查手册

Simple detection of (analog circuit) FET

TMOS场效应管功放集成块

场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

介绍晶体管原理，以及指标，以及具体的应用电路

测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效

场效应管测量方法 电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电

本文图文结合的讲了关于场效应管的相关知识,下面一起来学习一下

本文总结了场效应管(MOSFET)检测方法与经验