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DRAM从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。DRAM的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步DRAM及Direct Rambus DRAM(直接总线式DRAM),所以我们所说明的这种类型的DR
在快速翻页模式中,如果CAS无效,则将停止DQn的驱动,数据将随之消减。取代这种方法,而采用即使CAS无效,也能保持数据输出的方法,即采用EDO(Expansion Data Output,扩展数据输
这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于DRAM的刷新电路一般都设计在外部,因而即使在待机状态下,为了进行刷新操作也需要运行DRAM控制器电路。 对此,在DRAM内部嵌人刷新计时器以及刷新地址生成
同步DRAM的信号类型如图1所示,其中存在时钟(CLK)、时钟使能(CKE)以及存储块(Bank)编号指定等若干信号的更改,但可以看出,同步DRAM沿用了异步DRAM的信号。SDRAM将内部分割为若干
DRAM基本的存取操作如图所示,结合RAS及OAS的有效,分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时,如果在这里DE有效,则DQn引脚被驱动,读出数据。另一方面,进行写操作时,在CAS有效之前WE有效
DRAM单元的基本结构如图所示,负责数据存储的是图中的电容器,根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。图中电容器的一端接地,因为是交流接地,所以不是形成GND电平的意思。电容器的另—端与用于存取开
如果为了提高DRAM的存储容量而提高集成度,那么当然要减少连接到FET的电容器的容量,所以用于存储的电荷量也将随之减少。随着容量的减少,数据的正确读取将变得困难,除此之外,还会存在由于α射线而破坏存储
英文资料，介绍了DRAM的一些常见的刷新方式。
详细描述了DRAM各端口的定义，通过时序图分析DRAM读写过程，方便控制
DRAM hardware design points
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