GaAs气相外延生长法中有卤素输运法,生长过程中发生AsCl3(三氯化砷)的氢还原反应。这种反应必须加热到700 °C以上的髙温时才发生,在这样的高温下,从石英反应管等产生的Si造成对晶体的污染,妨碍高纯晶体的生长。