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介绍Agilent Technologies HSMS-285x系列的使用规则
Photoconductive semiconductor switches (PCSSs) are widely used in high power ultra-wideband source a
GaAs的两个关键应用领域是高频微电子学和光电子学。
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低温冷却,但低噪声放大器的良好性能,提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而
GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究，冯建友，任晓敏，采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（10
GaAs薄膜发光改性研究进展，肖卫，贾慧民，砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性，广泛应用半导体光电器件中。对GaAs
GaAs器件质子辐照效应模拟研究 ，李永宏，张力，本文利用Geant4软件模拟了质子入射GaAs MOSFET器件中产生的位移损伤效应，结果显示能量越高核反应过程越复杂，产生的PKA种类也越多，低�
通过湿法化学方法钝化GaAs表面及其光谱特性研究，陈芳，唐吉龙，使用低温光致发光研究(NH4)2S处理后的砷化镓（GaAs）表面的光学和化学特性。通过扫描光致发光光谱（PL mapping）和原子力显
MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究，贾慧民，魏志鹏，本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs，通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品。利用原子力显微镜（A
开关速度是个涉及多个事件的复杂参数,每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术,M/A-COMTechnologySolutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短
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