半导体激光器

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.

研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明,在不同的调制速率下,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下,激光器应该工作在较小的直流偏置下,以避免输出脉冲拖尾的产生。

介绍了一种电控调谐的外腔半导体激光器, 并对其连续调谐特性进行了理论和实验分析。压电陶瓷(PZT)(双晶片)的电扫描角度可达1°, 采用适当的外腔结构, 靠PZT可同时改变外腔腔长和光栅衍射角, 实现

半导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)

Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately

研究外部光注入半导体激光器的非线性物理特性, 用小信号分析方法分析了激光器的动力学行为。分析了外部光注入对半导体激光器的激光非线性频率啁啾影响, 给出了最大静态锁模公式, 理论上指出, 有外部光注入半

本文从理论上分析了外腔半导体激光器的线宽压窄原理,用延时自外差法对外腔半导体激光器的线宽特性进行了测量研究,得到了线宽反比于激光器输出功率及外腔反馈率的实验结果.

市售的商用半导体激光器由于其线宽宽、抖动和漂移大等缺点, 不能满足离子阱中单个钙离子的激光冷却和精细测量实验的要求。因此, 制作了一台可调谐的Littrow结构的半导体激光器(ECDL)。该激光器的自

据报导,日本丸文公司将出售500毫瓦的连续输出半导体激光器,这种商品化的激光器由光谱物理公司和复印机公司的联合承包者光谱二极管实验室提供。

苏修列别捷夫研究所报导了一种使用外反射镜的薄膜半导体激光器。他们为了观察激活区域的直径、阈值水平和功率之间的关系,研究过一种由以电子束来泵浦的GaAs和外共振器组成的装置。据报导,激活区的直径为0.2