CMOS带隙基准源研究现状

为何需要基准电压源这是一个模拟世界。无论汽车、微波炉还是手机，所有电子设备都必须以某种方式与“真实”世界交互。为此，电子设备必须能够将真实世界的测量结果 (速度、压力、长度、温度) 映射到电子世界中的

虽然每种模拟IC类型都有必须优化的特定参数,但这里将探讨基准电压源——可产生稳定、精确直流电压的器件,该器件决定了ADC、DAC和其他模拟电路的精度。

基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引入额外的PTAT电流

级联一维光子晶体带隙特性研究

为了解决传统基准源功耗和版图面积较大而无法适用于超高频射频识别技术中无源标签的设计，设计一无运放、全MOSFETs（metaloxidefield-effecttransistor）构成的低压低功耗基

通过对其带隙结构与不含功能梯度材料的 常规声子晶体帯隙结构比较可知 功能梯度材料使原有带隙结构发生变化 含有功能梯度材料的声子晶体较常规 声子晶体前两阶带隙归一化起始频率升高． 这些结果扩宽了功能梯度

所有常用线性稳压源 基准源的指标及型号 非常适合大家用作参考选型

毕业论文:二维光子晶体带隙的研究，二维光子晶体带隙研究的方法；模拟研究的结果

研究了一种新颖的基于非共振光学斯塔克效应的有源光子带隙全光偏振开关的理论模型, 模拟了在抽运光作用下全光开关有源光子带隙的反射谱的变化情况; 反射式全光偏振开关的对比度随延迟时间和抽运功率密度的变化以

摘 要: 设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 u