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第二个声子(nω= 2)摆动带已在原子核$ ^ {135} $ Pr中建立。 其摆动性质的确凿证据来自该核中新谱带和先前确定的横向摆动谱带(nω= 1)之间的跃迁的ΔI= 1,E2特性。 发现在准粒子
我们考虑了平移对称性的自发破坏，并在具有Bianchi VII螺旋对称性的全息模型中确定了相关的Goldstone模式（纵向声子）。 在全息术中，我们首次引入了与我们的装置的螺旋对称性兼容的显式破坏源
在自发中断翻译的阶段，低能谱（声子）中出现了新的无间隙自由度。 在长波长下，它们耦合到系统守恒密度的微小波动。 通过新的扩散传输系数以及定性上不同的集体模式（例如切变声模式）捕获了这种混合。 我们使用
本文主要研究表面极化声子的喇曼散射.在探测表面极化声子的衰减全反射方法以及喇曼散射方法的基础上,借鉴了Kretchmann配置的衰减全反射喇曼散射法,提出了Otto配置的衰减全反射喇曼散射法,并以Ca
N76E003 adc bandgap voltage program
基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器(TIA)”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V~3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
基于一款0.18 μm工艺下常规设计带隙基准源,使用单粒子瞬态脉冲电流模型分析了常见CMOS两级放大器的单粒子敏感性。对于带隙基准源中使用的垂直型PNP管使用TCAD软件建立了三维模型,并通过仿真验证
本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现,采用3.3V电源电压,在-40~100°C范围内,达到低于6ppm/°C的温度系数,在1kHz和
文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺
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