三星电子有限公司(Samsung Electronics Co., Ltd)日前宣布,已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64Gb多级单元(MLC)NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪
hynix NAND Flash 命名规则(新+旧)
东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的 e·MMCTM 标准,可用于各种数字
19nm_1plane_64gb_4lc_legacy_toggle_mode_nand.pdf
HYNIX Nand_Flash part number命名规则
在NAND闪存和DRAM这两个最重要的半导体存储器件市场,三星已稳坐头把交椅,分别占有52.9%和32.1%的份额,相应地是第二名的两倍多和接近两倍。即便如此,该公司也并未被外界看到有丝毫懈怠。三星继
We demonstrate low-voltage waveguide silicon-germanium avalanche photodiodes (APDs) integrated with
l63b_32gb_64gb_128gb_256gb_asyncsync_nand.pdf MT29F32G08CBABA,MT29F64G08C[E/F]ABA,MT29F128G08C[J/K/M
L74A_64Gb_128Gb_256Gb_512Gb_AsyncSync_NAND.pdf
近日,中国–闪存供货商 SanDisk (闪迪) [NASDAQ:SNDK] 在西班牙巴塞罗那移动通信世界大会推出了全新SanDisk iNAND?嵌入式闪存驱动器(Embedded Flash D
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