三星电子有限公司(Samsung Electronics Co., Ltd)日前宣布,已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64Gb多级单元(MLC)NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪存成为主要存储媒介,因此,对闪存的需求快速增长,而这一闪存芯片的出现,成为向更高密度解决方案的重要的飞跃, 最多16个64Gb闪存器件可以连接成为128GB的存储卡,存储80部高清晰DVD电影或者32,000个MP3音频文件。 30 nm级64Gb的NAND闪存使得存储器的密度在连续的第八年中翻了一倍,并且在连续发展的第七年,纳米等级也从2001年的100nm 1Gb NAND得到了