Samsung推出首个512Mb GDDR3存储器(图)

艾蒙公司(M-Systems)近日宣布即将推出DiskOnChip H1闪存磁盘,连同一系列专业嵌入式驱动程序,做为嵌入式应用的非易失性(NVM)内存解决方案。DiskOnChip H1适用于汽车音响

前讯系统公司宣布推出512Mbit(64MByte)NAND型闪存,将委由力晶半导体代工,预计于7月起开始小量生产,从今年9月起即可量产出货。 前讯公司表示,此次推出的两款产品AC79LV512B

Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM

奇梦达公司宣布推出新的1Gb GDDR3 内存模组,以扩展其GDDR3(图形双数据速率3)产品组合。此外,奇梦达还对其所有现有的GDDR3产品进行了速度上的升级。 在目前的256Mb和512Mb产

Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)

三星电子有限公司(Samsung Electronics Co., Ltd)日前宣布,已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64Gb多级单元(MLC)NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪

White Electronic Designs公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MB DDR SDRAM。这是一款2×32M×64 DDR SDRAM内存条,基于25

闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺,这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗

世界非易失性铁电存储器(FRAM)供应商Ramtron International日前扩展了其串口存储器产品系列,推出带有2线工业标准串行接口的半兆位非易失性FRAM产品FM24C512,面向需要高容

联合通讯社汉城12月9日电 据三星电子9日称,在世界上率先开发出每秒运行速度为1.6Gbps的512MB DDR3显示内存。 此前的最大容量和最高速度分别是256Mb及1.4Gbps/秒。