场效应管的应用及参数

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双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。 一些双栅场效应管圭要特性

1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引

表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。 一些小功率场效应管主要特性参数

场效应晶体管在音响数字化的今天应用范围越来越广。其原理、优点和使用常识在一些工具书及报刊上已有不少论述，在此不再赘述。本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前，应

开关器件在开通和关断暂态过程中产生的高电压和电流变化是电磁干扰(EMI)的主要来源。准确的EMI预测需要对功率器件开关瞬间的动态行为进行精确地描述。首先介绍了两种常见的功率场效应管的建模方法、子电路模

关于场效应管的一些原理图。。

本文介绍了多点控制场效应管的电子开关

场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应三极管。