势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaNMOS-HEMT的影响,刘红侠,陈树鹏,本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型,对器件特性进行了二维数值仿真分析,重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金��