化学键极性驱动的Ge2Sb2Te5薄膜忆阻效应,孙华军,谢松,本研究制备了基于Ge2Sb2Te5硫系化合物的忆阻器单元,忆阻器单元经过初始化操作后,忆阻功能材料Ge2Sb2Te5处于晶态和非晶态之间的中间状