驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计

针对现有LED驱动电路存在电解电容限制寿命的不足，提出了一种无电解电容的LED驱动电路的设计方法。该方法采用Panasonic松下MIP55

为可靠驱动绝缘栅器件,目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时,驱动电路的设计是比较简单的,目前也有了许多优秀的驱动集成电路。

MOSFET管驱动电路的资料，基本的东西都讲到了，可以看一下

UC3843 MOSFET driver chip

功率MOSFET驱动保护电路方案

一部分为国外经典高速MOSFET电路设计资料，一部分为高压门级驱动应用手册。

1．高压电容器的检测 在检测高压电容器之前，应先将电路中及电容器两端的高压电短路放净，然后再从电路中取下高压电容器。用万用表欧姆挡的“RX10k”挡测量高压电容的电阻值，充电后显示的电阻值正常时在10

PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的

晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附加上拉电阻的电路,图2所示的晶体管2SC2655上,附加集电极负载电阻RC进行驱动。 图1 晶体管开路集电极—

盛群半导体(Holtek Semiconductor Inc.)针对三相直流无刷马达控制领域,推出专用MCU-HT45RM03并搭配高压MOSFET闸极驱动器HT45B0C(High Voltage