硅微通道结构释放中湿法腐蚀特性研究,崔丹丹,端木庆铎,电化学刻蚀技术是制作硅微通道结构最常见的技术,此技术制备出的硅微通道结构是不通透的,需要通过结构释放中湿法腐蚀的方法把硅
基于混沌特性的故障诊断方法的研究,张凤,庞晓丽,本文主要针对基于垂直于振动筛筛帮振动信号的混沌特点,应用相空间重构理论,计算振动信号的特征参数即关联维数和李雅普诺夫指数
用ANSYS来计算导线的交流电阻系数及特性
报道了Al/α-SnPc/ITO夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。稳态光电压作用光谱和其对应吸收光谱的变化趋势非常接近;而瞬态光电压的大小、极性和
采用原位聚合法在塑料基体上制备聚吡咯薄膜。通过控制聚合时间来控制薄膜的厚度。研究了不同厚度的聚吡咯薄膜的氨气敏感特性,结果表明随着薄膜厚度的增加,其氨气敏感性能降低。采用了一个基于Langmuiris
采用化学溶液沉积法和快速退火工艺在石英玻璃衬底上成功地制备了掺镧钛酸铋(BLT)铁电薄膜。X射线衍射测量显示, 生长在石英玻璃衬底上的BLT薄膜结晶良好, BLT薄膜的透射光谱测量显示生长在石英玻璃衬
锗和一氧化硅是中波红外区域通常使用的薄膜材料, 研究这些材料的特性, 找到最佳制备工艺并拟合出材料的光学常数, 是设计制备中波红外光学薄膜的关键。最佳工艺条件下, 选用以上两种材料, 以蓝宝石为基底,
从有机电致发光薄膜的发光机理出发,通过对单层Alq薄膜器件、PVK为空穴传输层和Alq为发光层的双层薄膜器件以及PVK掺荧光材料Perylene的双层薄膜器件的研制,从器件的电致发光谱、电流密度-电压
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在基于图像的信息隐藏研究过程中,人们对信息隐藏性能的评价十分关注。提出了一种基于特征的JPEG图像信息隐藏隐蔽性的评价方法。此方法首先提取信息隐藏前后的JPEG图像的特征,对这些特征处理后进行作差得到
