界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响,刘红侠,张言雷,本文详细讨论了采用原子层淀积技术(ALD)生长的薄膜中界面陷阱电荷对于高k叠栅HfO2/SiO2结构电学特性的影响,通过实验定量分析了界��