论文研究Levinson公式在ZnO薄膜晶体管上的应用 .pdf

一般晶体管放大电路多采用共发射极放大电路。然而该电路有一些缺点,如:输出阻抗高,容易受到负载所接的电路的影响。因此,在构成放大电路时,必须对输出进行强化,即降低输出阻抗。进而引出了射极跟随器,它可用在

还原氧化石墨烯(RGO)/聚(3-己基噻吩)(P3HT)双层薄膜首先被用作OTFT气体传感器中的活性层,用于检测二氧化氮(NO2)。 具有RGO / P3HT双层膜的OTFT在室温下表现出典型的晶体管

碲化铅薄膜特性研究，刘倩，牟强，本文用布里奇曼法以高纯碲（99.9%）和经过5次提纯的铅合成了Pb49Te51晶体，以其为原料用真空蒸镀法制备了Pb49Te51薄膜，并对薄膜的显微��

AZO薄膜电阻特性研究，杨家棚，端木庆铎，采用原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）技术制备AZO薄膜。本文主要研究了ZnO循环百分比和退火时间对AZO薄膜电阻的影响，以及不

论文研究-AHP和ANN模型在晶体生产组织评价中的应用研究.pdf,  以石英晶体谐振器生产组织为例 ,应用 ANN与层次分析法 (AHP)相结合的方法 ,通过反映在该期中产品生产的质量因素来对产品生

在 LiNbO3中同时掺入Nd2O3和ZnO,生长了Nd:ZnO:LiNbO3晶体。它具有同Nd:MgO:LiNbO3晶体相当的抗光损伤能力。Zn2+离子的掺入,不影响Nd3+离子在晶体中的光谱性质。

磁敏晶体管的工作原理 磁敏晶体管又称磁敏三极管。工作原理如下： 下图是磁敏三极管的工作原理图，图（a）给出了无外磁场作用时的情况。由于i区较长，从发射极e注人到i区的电子在横向电场U。。的作用下，大部

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(一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料

TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。