PECVD沉积氮化硅薄膜应用研究.pdf

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EPON技术及组网应用研究.pdf,好资料需要学习

SIMHASH算法改进及应用研究

在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p

陈蒲生1,陈闽捷2 ,张昊31.华南理工大学应用物理系, 广东 广州 510640;2.华南理工大学机电工程系,广东 广州 510640;3.中电科集团电子第五研究所, 广东 广州 510610)摘要

在本工作中，使用由（SnCl2，H2O），（NH4F）和乙醇混合物组成的溶液，通过溶胶凝胶法制备了未掺杂（SnO2）和掺氟氧化锡（FTO）薄膜。 研究了氟浓度对SnO2薄膜的结构，光学和电学性质的影响

采用电沉积方法在铂、铝基体上制备出具有电化学控制离子交换(ESIX)性能的电活性NiHCF(Nickel Hexacyanoferrate)薄膜,在1m01/L(NaNO3+CsNO3)和1mol/L

阐述了脉冲激光沉积法的基本原理、特点及其应用。分别介绍了超快脉冲激光沉积法、双光束脉冲激光沉积法、脉冲激光气相沉积法、脉冲激光液相沉积法、脉冲激光诱导晶化法、直流放电辅助脉冲激光沉积法、脉冲激光分子束

本文采用射频磁控溅射法,以高硼硅玻璃为靶材,在高硼硅玻璃基底上制备高硼硅玻璃薄膜。探讨磁控溅射法与熔融法制得的高硼硅玻璃的性能差异,研究磁控溅射功率对高硼硅玻璃薄膜质量的影响。通过X射线衍射仪(XRD

薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。对于CVD工艺,这包括原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PVD沉积技术包括溅射,电子束和热蒸发。CVD工