Ti修饰氧化钨纳米线薄膜的NO2敏感性能,秦玉香,刘凯轩,利用磁控溅射法在溶剂热合成的W18O49纳米线薄膜之上沉积Ti薄层并于350℃退火2h形成Ti修饰的氧化钨纳米线。研究了未修饰和Ti修饰的氧化�