(0001)SiC衬底MgB2超薄膜的制备和性质研究

为了获得应用于AlGaAs 激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs 衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变

在4H-SiC(0001)衬底上的准自支撑双层外延石墨烯场效应晶体管

升华法制备SiC单晶及表征，汪洋，万隆，石墨电极与SiC原料直接接触，通电后利用接触电阻及SiC颗粒间产生的电弧加热SiC粉源，采用升华法原理成功制备了SiC单晶材料。实验表明

通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜具有相当好的p型导电性,TC远高于室温的铁磁性,并且在可见光范围内具有较高的透明度。 研究了铁浓度(0-15 at%)对组

采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对沉积态薄膜在300°C时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常数.研究了薄膜的光学常数与薄膜厚度的关系,结果表明在一定的厚

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌，用包络线法详细研究了不同衬底温度下TiO2薄膜的光学特性.结果表明：薄膜在可见

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论,实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜-衬底体系的热致反射调制度高达80%,这一效应可望有极广泛的应用。

MOCVD法制备TiO2光催化薄膜，郭森，董帆，采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备负载于玻璃基片上的TiO2薄膜，研究沉积温度、沉积时间等沉积条件对其制备的影响，并以Ag(Ac)

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

用硅衬底上的超薄阳极氧化铝模板制备磁性钇铁石榴石纳米点阵列