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由于其极高的载流子迁移率,石墨烯晶体管作为高频电子器件具有巨大的应用潜力。 据报道,本征截止频率为427 GHz。 但是最大振荡频率(f(max))仍然很低,限制了它在实际射频(RF)电路中的使用。
SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析，陈治明，李连碧，用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状
本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。
4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征
通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控
本文主要讲了晶闸管和单结晶体管及场效应管图形符号，希望对你的学习有所帮助。
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了
LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性
4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能
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