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采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在热氧化的SiO2/Si(100)基片上提拉法制备掺EP:A12O3光学薄膜.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(ARM),X射线衍射分析(XRD)研究了掺Er3+
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光子晶体代码完美结构代码在meep中运行
磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶
水溶液法制备ZnO薄膜的研究，刘辉，靳正国，以硝酸锌和氨水为前驱生长液，采用低温水溶液法在涂敷ZnO晶种层的玻璃基底上外延生长ZnO棒状晶薄膜。应用SEM和XRD表征ZnO薄膜的形貌和
碱对滚筒法制备高取代度羧甲基淀粉的工艺影响，蔡秋芳，张燕萍，研究了碱的种类、碱量以及滚筒干燥条件对羧甲基化的影响。得出碱化时氢氧化钠适合作碱化剂且nNaoH：n淀粉=1.4:1为碱化剂最佳反应条件
基于全矢量有限元法,设计了一种新型零色散波长为1550 nm的高非线性双折射光子晶体光纤(PCF),并分析了PCF的有效折射率、有效模面积、双折射、非线性系数以及色散特性。数值结果表明,当光纤包层孔间
有关半导体光导开关的仿真以及制造和技术研究
Barrier Inhomogeneities and Interface States of Metal/4H-SiC Schottky Contacts
The current-voltage (I-V) characteristics of 4H-SiC metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet phot
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