本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。 使用新颖的反型层模型和考虑了非均匀掺杂的边界条件,可以有效地推导出前沟道电流和后沟道电流。 结果与Sentaurus Technology计算机辅助设计(TCAD)获得的数值模拟结果非常吻合。 据信,该模型可提供深物理洞察力和对FD-SOI MOSFET的深刻理解,并具有在亚阈值范围内工作的非均匀掺杂分布。