实验采用60 ns、1064 nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器,随着损伤程度的加深,分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0.38、0.64、1.0 J/cm2。进一步提高激光能量密度,观察到十字交叉黑线变粗,覆盖面积扩大。即使激光能量密度达到2.8 J/cm2,此时黑线已经覆盖绝大部分探测器像元,但探测器仍然没有完全失效,未损伤区域还可以成像。基于CMOS样品的结构和工作原理,对损伤机理进行了理论分析,认为点损伤是由于热效应引起结构缺陷从而造成漏电流增加,半边黑线损伤和十字交叉黑线损伤是由于器件电路