第一性原理计算软件VASP的LDA赝势文件

我们介绍了立方硒化锂（Li2Se）基态的电子性质和相关属性的从头算，自洽计算的结果。 我们采用了局部密度近似（LDA）势，并按照Bagayoko，Zhao和Williams（BZW）方法进行了计算，并

单双轴应变作用下ZnO基态特性的第一性原理研究，商晶，李春，一般来说，施加应变会改变材料的电子结构，因此影响材料的各项基态特性。本文应用第一性原理计算，基于密度泛函理论的线性扰动方

Ag原子修饰石墨烯与氮化硼薄膜的第一性原理研究，陈晓劼，吴其胜，本文主要利用第一性原理对二维纳米材料表面修饰Ag原子进行了理论计算研究。通过计算发现，对单层或双层的石墨烯和氮化硼薄膜表面�

采用基于密度泛函理论的第一性原理对CeO2进行掺杂改性研究。在研究过程中，计算了未掺杂及不同掺杂情况下CeO2的几何晶体结构、能带和态密度、光学吸收谱。结果显示，Fe和N元素的单掺杂以及共掺杂后，晶胞

半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯

使用广义梯度近似(GGA)和Hubbard U方法进行第一性原理计算,以研究Co掺杂SnO2纳米片(NSs)的结构,电子和磁性。 我们发现两个Co原子具有聚集趋势,并且它们之间的磁性相互作用表现出铁磁

有序钙钛矿钛酸铜钙掺杂问题的第一性原理研究,徐利春,王如志,利用第一性原理方法研究了钛酸铜钙的掺杂选位问题。通过假设La掺杂可能替代的四个位置,计算掺杂后点阵膨胀、形成焓并分析了电子�

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的

不同侧基苯衍生物电子特性的第一性原理研究

从第一性原理计算得出阴离子掺杂的c-ZrO2的电子和光学性质