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CrXN (x=1,2)的电子特性和相稳定性的第一性原理研究,董璠,吕知清,采用第一性原理方法计算了CrXN (x=1,2)的结构、电子性质和磁性,分析了CrXN (x=1,2)在高压下(低于40 G
基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算, 系统地研究了轴向应力作用下均匀交替结构和非均匀二聚体结构Cu-Co合金单原子链的结构稳定性、磁性 和电子结构。Cu-Co合金原子链内聚能在较大原子间距范围内均
氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理
基于密度泛函理论的第一原理,使用量子化学从头算软件WIEN2K对Sn(O1-xNx)(2)材料的光电性能进行了研究。 分析了状态密度,能带结构,磁性,介电函数和折射率。 结果表明,随着氮取代氧的掺杂浓
锰掺杂锐钛矿二氧化钛第一性原理研究，冯锐，韩志东，运用第一性原理，对Mn掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构进行了研究，并从能带结构理论解释了Mn掺杂TiO2吸收光谱的一些实验现象。Mn掺杂后锐�
电子束蒸发和溶胶-凝胶法沉积的TiO2和ZrO2薄膜的比较
VC时间跨度计算得出天数，设置时间参数，得到某年、某月、某日距离现在的天数，多少天，时间计算VC实例代码，倒计时计算，对了解时间的各种运算有参考作用。
氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响：第一性原理研究，曲晓东，孙立忠，我们用基于平面波赝势的第一性原理方法，通过计算电子结构、电子局域函数和差分电荷，分析了不同形式的H间隙杂质对Ⅱ-Ⅵ族半导体�
在最近的实验中,发现在低偏压下寡噻吩-CH 2分子的电导的量子长度依赖性[Xu等人,Nano Lett.Natl.Acad.Sci.USA。 5,1491(2005)]中,较长的分子具有较大的电导率。
在该实验中，通过溶液燃烧法合成了纯的，Y3 +掺杂的ZnO和Cu2 ++ Y3 +共掺杂的ZnO。 Y 3+掺杂剂浓度固定为3％wt。 Cu 2+的掺杂浓度为0、1、2、3、10和20％wt。 XRD
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