磁控溅射法制备BaTiO3/Nb:SrTiO3薄膜的漏电流机制分析

Nb:SrTiO3单晶基片上外延生长BaTiO3薄膜的漏电流机制分析

MOD法制备SrTiO3薄膜研究，陈文祥，丁灵效，本文采用金属有机物沉积（MOD）方法在双轴织构的Ni-5at%W合金基带上制备YBCO超导带材的SrTiO3(STO)缓冲层。研究了退火温度以及单层薄

磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在CD-E

高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄

Nb:SrTiO3上生长的La0.67Sr0.33MnO3 / BaTiO3双层薄膜的漏电流传输机理

贾 嘉(中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海 200083)摘要:溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能纳米材料的重要手段。本文介绍了离子束溅射和磁控溅射技术的基本原理

(中国科学院半导体所材料中心,北京100083)摘 要:采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用旋涂法在Si(100)衬底

采用磁控溅射方法在载波片和Al基片上制备了氮化钛薄膜;通过改变N2流量来改变薄膜中N/Ti原子比例。采用分光光度计和扫描隧道显微镜测试手段对氮化钛薄膜光学性能随N2流量变化的规律进行了研究。薄膜反射率

粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85