La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结的光电效应研究

Nature06年的paper,讲述Ge-Sicore/shell结构的晶体管的IV特性，电容特性等等，采用单栅结构。

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以二维三角晶格光子晶体为研究对象,在该光子晶体中引入两行平行的单模线缺陷波导,以一行耦合介质柱为间距,通过调节部分耦合介质柱的折射率,构筑了光子晶体异质结耦合波导光开关结构。利用平面波展开法和定向耦合

绝对编码器增量式编码器增量编码器图片混合式编码器绝对式光电编码器光电式编码器结构和工作原理增量编码器应用光电编码器原理示意图TS5668N20型光电编码器国内使用比较多的高精度编码器主要有日本多摩川(

制备了基于CuPcC60混合层异质结有机光伏器件,将其与CuPc-C60双层结构光伏器件进行对比研究。结果表明混合层结构器件性能得到改善,其开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率都有提高,分别

针对光电器件进行位移损伤效应分析,包含实验数据分析,专业人员值得一看

单异质结激光器可以分为同型异质结(N-n或P-p)和异型异质结(N-p或P-n),图说明了能带结构情况。 图 单异质结激光器能带结构示意图 以N-n同型单异质结激光器能带为例,当两种半导体材料

双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间,以便在垂直于结平面的方向(横向)上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了GaAlAs/GaAs激射波长为0.89

纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了inc-Si:H/pc-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66%和38%的本征纳�

分别对带隙较宽(较窄)的* 型材料在带隙较窄(较宽)的+ 型材料之上的碲镉汞(,-.)异质结的能带结构进行 了理论分析/ 在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导