单晶薄膜Nd0.75Sr1.25CoO4的输运性质

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溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响，任雪勇，谢泉，采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不

（0001）SiC衬底MgB2超薄膜的制备和性质研究，陈雷，马世成，利用混合物理化学气相沉积法（Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为（HPCVD)在(00

采用常压金属有机物化学气相沉积技术(APMOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在cAl2O3衬底上生长出了Z

电子束斜入射蒸发制备氧化铝薄膜的光学性质。

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