论文研究注入锁定半导体激光器小信号模型仿真 .pdf

SiC衬底上的蓝光半导体激光器

本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。

光泵蓝光有机半导体激光器

本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。

以光纤通信作为主要目标的半导体激光器,最近几年来取得了显著的进展。随着器件性能的改善和可靠性的提高,工艺的重点正从研究和发展阶段迅速地转移到商品化应用。除了用作光纤通信光源的0.8微米波段和1微米波段

常用连续半导体激光器的输出光功率一般在几毫瓦以上,输出光功率在几十~几百毫瓦或更大功率的连续半导体激光器正逐步扩大应用范围.

用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO

可在室温附近连续工作的双异质结半导体激光器,近几年来已在日本得到大力发展。这种激光器分为三类:(1)波长范围0.8微米的AlGaAs激光器称为短波激光器;(2)波长范围为1微米的InGaAsP激光器称

日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条

研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。