半导体桥点火模型的建立及数值模拟

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一、晶体结构 二、晶面与晶向 三、晶体中的缺陷和杂质 四、单晶硅的制备 五、晶圆加工

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第一章外延及CAD－－－－－－4学时第二章氧化、扩散及离子注入－8学时第三章光刻－－－－－－－－－4学时第四章刻蚀－－－－－－－－－2学时第五章金属化、封装与可靠性－2学时第六章N阱CMOS工艺流程－