半导体测试概论

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(二)微影(Photo-Lithography)1、正负光阻 微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。自1970年起,才大量使用于半导体制程之图形转写复制。原理即利用对紫外线敏感之聚合物,或所谓光阻(pho

(二)扩散(炉) (diffusion) 1、扩散搀杂 半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值,却不影响其机械物理性质的特点,是进一步创造出p-n接合面(p-n junction)、二极管(di