光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响

利用传输矩阵法,研究了垒层周期不对称度对光量子阱透射谱的影响。结果表明:当垒层周期不对称度为零时,光量子阱透射峰随着垒层周期数的增大而变得精细,但其透射率均为100%不变;当垒层周期不对称度为不等于零

在所构建的纳秒脉冲激光电化学复合加工(LECM)系统中,利用激光辐照和脉冲电化学复合加工的方法,在相同的工艺参数下,分别对304不锈钢、7075铝合金、1060纯铝等金属和脆性材料硅进行了加工试验。探

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入

三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响

薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速

硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响，汪文明，杨恢东，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料，并测试分析了

针对多光子纠缠测距方案量子态的产生和保持困难及量子关联测距中利用光路延迟法进行测距时量程有限的问题,设计了基于双模压缩态和平衡零拍探测的量子测距方案。利用双模压缩光束对应正交分量在同步时关联性最大的性

不同退火温度下锡氧化硅薄膜晶体管的稳定性

双层氮化硅减反射膜对激光掺杂选择性发射极晶硅太阳电池性能的改善，杜国平，易文励，晶体硅太阳电池在全球光伏市场中占据绝对优势，目前的主要目标是提高其转换效率，降低其成本。现阶段，选择性发射极技术是提高晶

退火工艺对BNT铁电薄膜光响应性能的影响，李静，王金斌，用溶胶-凝胶法在YSZ/Si衬底上制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12 (BNT)铁电薄膜，研究了退火气氛和退火温度对BNT薄膜的光响应性能