光催化半导体 Ag2ZnSnS4 的第一性原理研究
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Mn、Si对体心立方晶格Fe结构稳定性和弹性性质影响。计算结果表明,合金化后的Fe-Mn、Fe-Si和Fe-Mn-Si合金满足热力学和力
目录 毕业设计(论文)任务书 I 摘 要 I ABSTRACT II 目录 III 第1章 绪论 1 1.1研究背景 1 1.2 红外非线性光学晶体的研究进展 3 1.3 第一性原理计算简介 4 第2
目录 毕业设计(论文)任务书 I 摘 要 I ABSTRACT II 目录 III 第1章 绪论 1 1.1研究背景 1 1.2 红外非线性光学晶体的研究进展 3 1.3 第一性原理计算简介 4 第2
利用基于广义梯度近似和混合函数法的第一性原理,系统地研究了Cu2ZnSnS4(CZTS)在平面双轴应变下的电子结构和光学性质。发现在Γ点的基本带隙随着垂直于c轴的拉伸双轴应变的增加而线性减小。但是,当
半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺陷能级的深浅性。基于密度泛函理论,结合二维带电缺陷计算方法,系统计算二维BN材料
利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硫(S)掺杂纤锌矿氧化锌(ZnO)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明:掺杂后晶格畸变,晶格常数随着掺杂量的增加而增大;S 原子掺杂减小了能带间隙,提高了电子
基于密度泛函理论,采用第一性原理计算了H空掺杂和不存在O空位的Hg掺杂的锐钛矿型TiO2的晶格参数,能带结构,电子态密度和吸收光谱。已经发现,Hg掺杂导致超级电池体积的扩展。没有O空位的Hg掺杂的锐钛
基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能。Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O ,掺杂浓度分别为4.17at%、2.08at%,
有序钙钛矿钛酸铜钙掺杂问题的第一性原理研究,徐利春,王如志,利用第一性原理方法研究了钛酸铜钙的掺杂选位问题。通过假设La掺杂可能替代的四个位置,计算掺杂后点阵膨胀、形成焓并分析了电子�
