180nmCMOS工艺下温度对SET的影响,梁斌,刘凡宇,基于3D混合模拟,研究了180nmCMOS工艺下了温度对SET脉冲的影响。研究发现,温度对数字SET有重要影响。使用60MeV?cm2/mg的LET,当温度从-55℃